第53章 暴力拆解与分析（1 / 2）

实验区，因为课题结束的缘故，只有韩阳一个人。

做好了清理之后，韩阳将处理器拿出来，放到了台面上。

想要看到其内部，首先要做的工作，是将封装进行拆解。这枚cpu没有引脚，类似于英特尔的镀金触点，韩阳找了软布作为垫布之后，便开始着手拆解。

实验室没有专用的风枪，韩阳先是找了一把裁纸刀，沿着封装的边缘走了几圈。

尽管是暴力拆解，但韩阳仍旧很小心，刀锋游走的时候韩阳能够明显的感觉到一层胶质感，大概在1mm左右的样子。

耐心的用刀走了数圈后，韩阳选择了更换工具。

一把尖头镊子。

他小心的将镊子的一头卡进封装的缝隙，然后逐渐的施压力，同时感受着芯片封装的反馈，保持着动两下停两下，然后换个地方继续撬的方式。

这一过程足足持续了十分钟的时间，注意力完全集中的韩阳尽管是处于实验室清凉的环境下，额头上还是渗出了细密的汗水。

随着镊子不断的施加力进行撬动，终于在某一個时刻，那通过镊子本身传导回来的阻力瞬间消失。

这一变化让韩阳的心猛地一紧，然后在一次冗长的呼吸中放松下来。

开了。

不过这并不代表工作结束。

相反，难的来了。

在工具受限的情况下，韩阳的拆卸工作足足持续了半个小时的时间才终于结束。

当一枚枚组件工整的摆放在台面上的时候，韩阳放下手里的工具，因为长时间保持着一个固定的姿势从而有些僵硬的手指在他的活动下给他带来了一种酸爽的体验。

从椅子上起身活动了活动身体之后，韩阳将仪器打开，简单的调试了一番之后，用镊子将核心夹起放了上去。

这是个比邮票大不了多少的单晶硅，当它被韩阳放上去后，显示屏幕上便呈现出了它被放大的样子。

因为初始的倍数不高，所以呈现的画面是密密麻麻的直线，像是天际线中被规划的直道高速公路一样。

韩阳没有在这个画面上多做停留，在选定了一个点后，开始继续放大。

随着他的放大，右边的对应尺度也逐渐的变小。直到单位变成了nm。

倍数的放大，单位尺度的变小，让画面中的一部分呈现出了相当粗糙的一幕。

当然，这并非是它原本的样子，而是韩阳如要需要看到晶体管，必须磨掉一层，将其暴露出来。

尽管韩阳已经尽了他最大的努力，但在微观层面上，这个抛光过程对比它原本的样子，实在是粗糙到了一定程度。

不过这对韩阳自己来说，倒也不是什么太大的问题。调整了一番之后，韩阳启用了一个探测器，准备从横截面上识别这枚核心中的不同原子元素。

随着时间的流逝，结果很快的呈现在了韩阳的面前。

除了百分比的含量表之外，最上方的，是一个呈现橙黄色方框的区域视图，方框中每隔一部分，就有绿色的光点分布其间。

有点像……五花肉的横截面，但比五花肉规整多了。

橙色方框区域大体可以分为两部分，上部分的区域偏黑暗一些，下部分则较亮。

在启用铝概述后，可以更加清楚的看到绿色部分的互连。

少量的钛出现在铝下面的几个不同位置上，像是上粗下细的等于号。

韩阳认认真真的看着，时不时的还进行着调整。

“沟道长度在7nm左右……比我想象中的差了很多。”韩阳看了眼数据，心中想道。

在经典物理框架下，电流只能由能量高于势垒的载流子贡献，当沟道长度为13nm的时候，量子效应微弱，几乎不显现。

但是沟道度在7nm左右时，量子效应开始显现，在势垒比较窄的顶端有一部分载流子在能量没有高于势垒的情况下也通过了势垒，使得总电流大于经典框架下计算到的电流。

这时候器件性能就很差了，在实际中已经失效。MOS场效应管要关闭就靠这个势垒能调控沟道的电流大小。

如果在4nm则会更明显，势垒完全不能阻挡电流的流过，最终栅极对沟道的调制功能完全失效，根本没有OFF状态。

而眼前呈现在韩阳的画面，虽然看不到它工作时的状态，但可以猜测的是，它应该是卡到了极限数值了。

毕竟硅原子是有极限的。

在真正的看到这一幕之前，韩阳本以为游戏中带出来的cpu会用某种方法利用遂穿效应设计新的逻辑门从而继续进行压缩，但眼前的一幕告诉他，没有。

“果然下一代的计算机核心，必须要摆脱硅元素，才能继续发展。”韩阳心中想道。

至于这个下一代……韩阳用在这里只是代指。毕竟以现在人类的技术水平，想要走到他眼前的这种技术层面，还有一段路要走。

虽说现如今市面上总说7nm工艺，5nm工艺甚至是3nm工艺，但其实这种命名已经与实际器件尺寸脱节了，节点名比如7nm并不代表芯片上某处的特征尺寸。

而对于ASIC/DRAM来说，节点名应当是第一层金属